太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：由n型晶体半导体形成的基板；位于基板的第一表面的p型发射极区；位于基板的与第一表面相反的第二表面上的第一介电层；分别位于发射极区和第一介电层上的第二介电层；位于在所述发射极区上的第二介电层上的第三介电层；位于基板的第一表面上并与发射极区连接的第一电极；和位于基板的第二表面上并与基板连接的第二电极。

主权项

一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：基板，所述基板由n型晶体半导体形成；p型发射极区，所述p型发射极区位于所述基板的第一表面；第一介电层，所述第一介电层位于所述基板的与所述第一表面相反的第二表面上；第二介电层，所述第二介电层分别位于所述发射极区和所述第一介电层上；第三介电层，所述第三介电层位于在所述发射极区上的所述第二介电层上；第一电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并与所述发射极区连接；和第二电极，所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并与所述基板连接，其中，所述发射极区具有第一纹理化表面，所述第一纹理化表面包括多个第一凸部，每个第一凸部的凸起高度和最大直径为约5μm～10μm，并且其中，所述多个第一凸部中的每个都具有第二纹理化表面，所述第二纹理化表面包括多个第二凸部，每个第二凸部的凸起高度和最大直径为约300nm～600nm。