发明名称 用于化学气相沉积的方法和设备
摘要 本发明公开了一种在基片(20)上沉积化合物半导体的方法,包括将气体反应物(30,34)导向到包含基片(20)的反应室(10)内,选择性地提供能量(31a,31b)至其中一种气体反应物(30,34),以便传递足够的能量来活化该反应物,但该能量不足以使该反应物产生分解,随后在基片(20)表面上分解反应物,以便与其它反应物反应。优选的能量源(31a,31b)为微波或红外辐射,实施这些方法的反应器也在此公开。
申请公布号 CN102239277B 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN200980148688.5 申请日期 2009.10.02
申请人 威科仪器有限公司 发明人 E·A·阿穆尔;W·E·奎因;J·曼根
分类号 C23C16/30(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I 主分类号 C23C16/30(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 曾旻辉;何冲
主权项 一种在基片上沉积化合物半导体的方法,其特征在于,包括以下步骤:(a)在反应室内保持基片;(b)在反应室内引导多种气体反应物,将其以基本分离的气流的形式、沿下游方向从进气口导向基片的表面,使得多种气体反应物在基片表面的边界层上相互混合,所述多种气体反应物在所述基片的所述表面上相互反应,从而在所述基片上形成沉积物;(c)在所述进气口的下游和所述基片的上游处,选择性地将能量提供给所述多种气体反应物的其中之一,以便传递足以激活所述多种气体反应物的所述其中之一、但又不足以使所述多种气体反应物的所述其中之一分解的能量;且(d)使所述多种气体反应物在所述基片的所述表面处分解。
地址 美国纽约