| 发明名称 | 具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构。一种形成集成电路结构的方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。 | ||
| 申请公布号 | CN103367231A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310106471.6 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | R·A·卡米洛-卡斯蒂罗;J·S·邓恩;D·L·哈拉梅;A·K·斯塔珀 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||