应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法

摘要

本发明提供了一种应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法，包括：将晶圆流片至在硅片上形成了氮化硅薄膜的步骤；将表面形成有氮化硅薄膜的多个晶圆分别置于多个不同真空度的真空环境中预定时间；将标准大气压分别除以所述多个不同真空度的气压，得到多个不同比值作为所述多个不同真空度的真空度系数；针对所述多个晶圆，采用需要检测的光阻原材料进行光刻工艺，并在光刻后检查光阻显影不足缺陷，识别出所述多个晶圆中没有缺陷的无缺陷晶圆和有缺陷的缺陷晶圆；将光阻与氮化硅薄膜之间的契合度确定为：大于或等于无缺陷晶圆所处的真空环境中的最大的真空度系数，并小于缺陷晶圆所处的真空环境中的最小的真空度系数。

主权项

一种应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法，其特征在于包括：第一步骤：将晶圆流片至在硅片上形成了氮化硅薄膜的步骤；第二步骤：将表面形成有氮化硅薄膜的多个晶圆分别置于多个不同真空度的真空环境中预定时间；第三步骤：将标准大气压分别除以所述多个不同真空度的气压，得到多个不同比值作为所述多个不同真空度的真空度系数；第四步骤：针对所述多个晶圆，采用需要检测的光阻原材料进行光刻工艺，并在光刻后检查光阻显影不足缺陷，识别出所述多个晶圆中没有缺陷的无缺陷晶圆和有缺陷的缺陷晶圆；第五步骤：将光阻与氮化硅薄膜之间的契合度确定为：大于或等于无缺陷晶圆所处的真空环境中的最大的真空度系数，并小于缺陷晶圆所处的真空环境中的最小的真空度系数。