| 发明名称 | 存储元件和存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。第一电极、存储层和第二电极以该顺序提供。离子源层至少包括硫族元素、氧和一种或多种过渡金属元素，该过渡金属元素选自由元素周期表的第4、5和6族元素构成的组。 | ||
| 申请公布号 | CN103367635A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310093311.2 | 申请日期 | 2013.03.22 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 清宏彰;大场和博;曾根威之;五十岚实 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 赵国荣 |
| 主权项 | 一种存储元件，包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极，该第一电极、该存储层和该第二电极以该顺序提供，其中该离子源层至少包括硫族元素、氧以及选自由元素周期表的第4、5和6族元素构成的组的一种或多种过渡金属元素。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||