微加热装置及形成方法

摘要

一种微加热装置及形成方法，通过金属导线将与待测MOS器件栅极相邻的伪栅连接，并使金属导线与测试电源连接，以对伪栅提供电压，通过伪栅的焦耳热效应对待测MOS器件加热，并通过控制伪栅中的电压控制伪栅产生的热量，进而控制待测MOS器件的温度，使MOS器件的温度达到对其进行性能测试的测试温度。本发明中为待测MOS器件升温的微加热装置及加热方法，可独立的利用微加热装置进行加热，使得待检测MOS器件受热均匀，且温度可控。

主权项

一种微加热装置，其特征在于，包括待测MOS器件，所述待测MOS器件包括位于半导体衬底上的栅极，以及位于半导体衬底上与待测MOS器件栅极相邻设置的伪栅；位于所述半导体衬底上覆盖所述伪栅以及待测MOS器件栅极的第一介质层；位于所述第一介质层上的第二介质层，贯穿所述第二介质层且与栅极连接的第一插塞，贯穿所述第二介质层且与伪栅连接的第二插塞，以及贯穿所述第一介质层和第二介质层且与待测MOS器件源极及漏极连接的第三插塞，所述第三插塞的位置与伪栅的位置不重合；位于所述第二介质层上且与第一插塞连接的感测节点，以及位于所述第二介质层上且与第二插塞连接的金属导线，金属导线通过第二插塞与伪栅连接；其中，金属导线与测试电源连接，利用所述伪栅对待测MOS器件加热。