发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，该芯片包括：形成于蓝宝石衬底的外延晶片，其N型区域和P型区域上均覆盖有金属电极层，该金属电极层包括透明金属层和反射层，在金属电极层上具有凸点下金属层和金属凸点；适于倒装焊的底板，该底板上具有金属线路层和形成于该金属线路层上的凸点；其中，N型区域尽可能包围P型区域，N型区域及其上覆盖的金属电极层保持连通，P型区域被N型区域及其金属电极层分隔成若干区域；所述的P型区域上的金属凸点均匀分布在所述被分隔成的若干区域中。本发明通过对器件电极的优化设计，改善了电流分布情况，从而提高器件的性能和寿命，此外，电极上的倒装焊结合点强度和器件的传热性能也都得到改善。

主权项

1.发光二极管芯片，包括：形成于蓝宝石衬底的外延晶片，所述外延晶片包括N型区域和P型区域，在所述的N型区域和P型区域上均覆盖有金属电极层，在金属电极层上具有凸点下金属层和金属凸点；适于倒装焊的底板，所述底板上具有金属线路层和形成于该金属线路层上的凸点，与所述P形区域和N型区域上的金属凸点相对应；其特征在于，所述的N型区域包围P型区域，所述的N型区域及其上覆盖的金属电极层保持连通，P型区域被N型区域及其金属电极层分隔成若干区域；所述的P型区域上的金属凸点均匀分布在所述被分隔成的若干区域中。