| 发明名称 | 沟槽的填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽的填充方法，所述沟槽的宽度在1μm以上，沟槽的深度在3μm以上，包括如下步骤：第1步，在具有沟槽的硅片表面上，采用LPCVD工艺以TEOS为原料淀积一层SiO2；第2步，在硅片表面上，采用APCVD或SACVD工艺以TEOS和O3为原料再淀积一层SiO2；第3步，在硅片表面上，采用PECVD工艺以TEOS和O2为原料再淀积一层SiO2。按照本发明所述方法对沟槽填充后，沟槽内的填充物为多层薄膜结构，在后续高温炉退火工艺中该多层薄膜结构不会发生破裂。 | ||
| 申请公布号 | CN101872739B | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN200910057115.3 | 申请日期 | 2009.04.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 彭虎;谢烜;季伟;缪燕 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/764(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 一种沟槽的填充方法，所述沟槽的宽度在1μm以上，沟槽的深度在3μm以上，其特征是，包括如下步骤：第1步，在具有沟槽的硅片表面上，采用LPCVD工艺以TEOS为原料淀积一层SiO2；第2步，在硅片表面上，采用APCVD或SACVD工艺以TEOS和O3为原料再淀积一层SiO2；第3步，在硅片表面上，采用PECVD工艺以TEOS和O2为原料再淀积一层SiO2。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||