| 发明名称 | 一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法，属于半导体技术领域。该方法包括：提供一衬底；在衬底上生长复合缓冲层，该复合缓冲层为多周期结构，每一周期包括AlxGa1-xN层和在该AlxGa1-xN层上生长的InyGa1-yN层，其中0<x<1,0<y<0.3；在该复合缓冲层上生长GaN外延层。本方法生长的GaN外延层的应力小、位错密度低、质量好。 | ||
| 申请公布号 | CN103361719A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310282192.5 | 申请日期 | 2013.07.05 |
| 申请人 | 华灿光电股份有限公司 | 发明人 | 林明金;魏世祯;胡加辉 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 徐立 |
| 主权项 | 一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长复合缓冲层，所述复合缓冲层为多周期结构，每一周期包括AlxGa1‑xN层和在所述AlxGa1‑xN层上生长的InyGa1‑yN层，其中0<x<1,0<y<0.30；在所述复合缓冲层上生长GaN外延层。 | ||
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||