用于双重图案化设计的掩模处理

摘要

本发明提供了一种形成半导体器件的方法及由此形成的产品。该方法包括采用例如双重图案化或者多重图案化技术在掩模层中形成图案。处理掩模以平滑或圆化尖边角。在其中在掩模中形成正图案的实施例中，处理可以包括等离子体工艺或者各向同性湿蚀刻。在其中在掩模中形成负图案的实施例中，处理可以包括在掩模图案上方形成共形层。共形层具有圆化尖边角的效果。可以采用其他技术平滑或者圆化掩模的边角。本发明提供了用于双重图案化设计的掩模处理。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一掩模层中形成第一图案；对所述第一掩模层实施平滑工艺，所述平滑工艺圆化所述第一掩模层的边角；以及采用所述第一掩模层作为掩模图案化下层。