发明名称 MEMS纳米结构及其形成方法
摘要 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法,该方法包括:将部分衬底凹进,从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层,从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层,从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。
申请公布号 CN103359682A 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN201210279330.X 申请日期 2012.07.24
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 张仪贤;郑创仁;刘怡劭;张华伦;陈庆叡;李也曾;林文香
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种形成多个MEMS纳米结构的方法,所述方法包括:使衬底的一部分凹进,从而在所述衬底中形成多个台面,所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面;在所述衬底之上沉积反光层,从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面;在所述反光层之上形成保护层;在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC);在每个台面上方的所述ARC层之上的光刻胶层中形成开口;通过所述开口去除所述ARC层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分,从而暴露出每个台面的顶部;以及去除每个台面的所述顶面之上的所述光刻胶层和所述ARC层。
地址 中国台湾新竹
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