发明名称 |
一种二维周期性V型金属等离子共振结构 |
摘要 |
本实用新型提供的一种二维周期性V型金属等离子共振结构,包括衬底(1)和金属膜(2);所述衬底(1)的形状为V型凹槽,V型凹槽底部设有狭缝;所述金属膜(2)设于衬底(1)的上表面上和V形凹槽内。本实用新型还提供了该结构的制备方法。该结构为二维周期性V型金属等离子共振结构,该结构不仅具有极高的电磁场增强因子,同时能保证目标分子在经过检测单元时均能够通过局域场共振增强区域,保证了检测的高灵敏度和高精确度。 |
申请公布号 |
CN203249871U |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201320281519.2 |
申请日期 |
2013.05.21 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
吕昌贵;祁正青;王肇征;毕纪军;叶莉华;钟嫄;崔一平 |
分类号 |
G01N21/65(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I |
主分类号 |
G01N21/65(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种二维周期性V型金属等离子共振结构,其特征在于:包括衬底(1)和金属膜(2);所述衬底(1)的形状为V型凹槽,V型凹槽底部设有狭缝;所述金属膜(2)设于衬底(1)的上表面上和V形凹槽内。 |
地址 |
211189 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |