发明名称 石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法
摘要 本发明涉及一种多晶硅杂质检测预处理方法,具体涉及一种石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法,将多晶硅样品加入PTFE烧杯中,依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸,反应至多晶硅样品完全消解,然后在水浴加热锅中加入石蜡,将PTFE烧杯放入石蜡中加热挥硅、酸度调节后定容,最后检测多晶硅中的杂质含量。本发明的优点在于:(1)由于可以最大限度的保留硼元素,可以使多晶硅中硼元素其它杂质元素同时检测,不需要再单独对硼元素检测;(2)PTFE烧杯内液体受热均匀,易于精确控制挥硅温度;(3)硼元素保留作用明显,硼元素的回收率可从80~82%提升至95%以上;(4)方法简单易于操作,缩短了检测时间及检测成本。
申请公布号 CN103364259A 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN201310285534.9 申请日期 2013.07.09
申请人 青岛隆盛晶硅科技有限公司 发明人 谭毅;刘瑶;刘鑫业
分类号 G01N1/44(2006.01)I 主分类号 G01N1/44(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法,将多晶硅样品加入PTFE烧杯中,依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸,反应至多晶硅样品完全消解,然后低温挥硅、酸度调节后定容,最后检测多晶硅中的杂质含量,其特征在于低温挥硅步骤按照以下方法进行:在水浴加热锅中加入石蜡,然后将PTFE烧杯放入石蜡中加热。
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