发明名称 |
石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法 |
摘要 |
本发明涉及一种多晶硅杂质检测预处理方法,具体涉及一种石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法,将多晶硅样品加入PTFE烧杯中,依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸,反应至多晶硅样品完全消解,然后在水浴加热锅中加入石蜡,将PTFE烧杯放入石蜡中加热挥硅、酸度调节后定容,最后检测多晶硅中的杂质含量。本发明的优点在于:(1)由于可以最大限度的保留硼元素,可以使多晶硅中硼元素其它杂质元素同时检测,不需要再单独对硼元素检测;(2)PTFE烧杯内液体受热均匀,易于精确控制挥硅温度;(3)硼元素保留作用明显,硼元素的回收率可从80~82%提升至95%以上;(4)方法简单易于操作,缩短了检测时间及检测成本。 |
申请公布号 |
CN103364259A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201310285534.9 |
申请日期 |
2013.07.09 |
申请人 |
青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
发明人 |
谭毅;刘瑶;刘鑫业 |
分类号 |
G01N1/44(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/44(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法,将多晶硅样品加入PTFE烧杯中,依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸,反应至多晶硅样品完全消解,然后低温挥硅、酸度调节后定容,最后检测多晶硅中的杂质含量,其特征在于低温挥硅步骤按照以下方法进行:在水浴加热锅中加入石蜡,然后将PTFE烧杯放入石蜡中加热。 |
地址 |
266234 山东省青岛市即墨市普东镇太阳能产业基地 |