| 发明名称 | 半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法。在一个实施例中，半导体装置包括衬底、可动电极和反电极，其中，可动电极和反电极机械连接至衬底。可动电极被配置为使可动薄膜的内区刚性。 | ||
| 申请公布号 | CN103369441A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310099965.6 | 申请日期 | 2013.03.26 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 阿尔方斯·德赫;克里斯蒂安·赫聚姆;马丁·乌策 |
| 分类号 | H04R19/04(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H04R19/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李静;张云肖 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：衬底；可动电极，所述可动电极包括波纹线，所述波纹线被配置为使所述可动电极的内区刚性；以及第一反电极，其中，所述可动电极和所述第一反电极机械连接至所述衬底。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||