发明名称 |
发光二极管及光学元件 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管,包括:一基底,所述基底包括一外延生长面;一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层,该第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面,所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面;一第一电极,该第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极,该第二电极与所述第二半导体层电连接;其中,所述第二半导体层远离活性层的表面具有多个第一三维纳米结构,所述第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构,所述条形凸起结构的横截面为弓形。本发明还涉及一种具有所述第一三维纳米结构的光学元件。 |
申请公布号 |
CN103367584A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201210089071.4 |
申请日期 |
2012.03.30 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
金元浩;李群庆;范守善 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种发光二极管,其包括:一基底,所述基底包括一外延生长面;一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层,该第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面,所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面;一第一电极,该第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极,该第二电极与所述第二半导体层电连接;其特征在于,所述第二半导体层远离活性层的表面具有多个第一三维纳米结构,该第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构,所述条形凸起结构的横截面为弓形。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |