发明名称 |
阵列基板、制备方法以及显示装置 |
摘要 |
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板,包括基板以及设置于基板上的多条栅线和多条数据线,栅线与数据线交叉设置且将基板划分为多个像素区域,像素区域内设置有薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,栅极与栅线电连接,源极与数据线电连接,其中,栅极、栅线与数据线同层设置,数据线在与栅线交叉的区域断开,断开的数据线通过与数据线不同层的数-数连接线电连接。有益效果是:本发明的阵列基板中,有源层采用金属氧化物半导体材料形成,整个阵列基板仅需采用四次构图工艺即可制备完成,且栅线与数据线由形成栅极的同层金属层形成,简化了工艺,极大地提高了产能,节约了成本。 |
申请公布号 |
CN103367248A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201310272317.6 |
申请日期 |
2013.07.01 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
成军;宁策;孙宏达;杨维;王珂 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的多条栅线和多条数据线,所述栅线与所述数据线交叉设置且将所述基板划分为多个像素区域,所述像素区域内设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述栅极与所述栅线电连接,所述源极与所述数据线电连接,其特征在于,所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置,所述数据线在与所述栅线交叉的区域断开,断开的所述数据线通过与所述数据线不同层的数‑数连接线电连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |