分层式位线架构的存储器阵列

摘要

本发明公开了一种存储器阵列，包含有多条字线沿着第一方向延伸；多个存储单元耦合至一第一子位线，所述第一子位线沿着第二方向延伸，且所述第二方向垂直于所述第一方向；一第一选择区域位于所述第一子位线中，而将所述多个存储单元区隔成两个子群组，其中所述第一选择区域包含有至少一选择晶体管耦合至所述第一子位线；以及一主位线沿着所述第二方向延伸并耦合至所述选择晶体管。

主权项

一种存储器阵列，其特征在于，包含：多条字线，沿着第一方向延伸；多个存储单元，耦合至第一子位线，所述第一子位线沿着第二方向延伸，且所述第二方向垂直于所述第一方向；第一选择区域，位于所述第一子位线的中间点，而将所述多个存储单元区隔成两个子群组，其中所述第一选择区域包含有至少一选择晶体管，耦合至所述第一子位线；以及主位线，沿着所述第二方向延伸并耦合至所述选择晶体管。