石墨烯纳米窄带的制备方法

摘要

本发明涉及一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一金属基底；提供一碳纳米管拉膜结构，覆盖于该金属基底的一表面，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及多个分布于所述碳纳米管束之间的带状间隙；利用离子植入工艺将碳离子透过该碳纳米管拉膜结构的带状间隙植入到所述金属基底内；对该金属基底进行退火处理，获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带；以及利用超声处理的方法，将碳纳米管拉膜结构与获得的石墨烯纳米窄带分离。

主权项

一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一金属基底，该金属基底具有一第一表面；提供一碳纳米管拉膜结构，覆盖于该金属基底的第一表面，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及多个分布于所述碳纳米管束之间的带状间隙；利用离子植入工艺将碳离子透过该碳纳米管拉膜结构的带状间隙植入到所述金属基底的第一表面内；对该金属基底进行退火处理，从而在该金属基底的第一表面获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带；以及利用超声处理的方法，将该碳纳米管拉膜结构与获得的石墨烯纳米窄带分离。