| 发明名称 |
一种沟槽超级结MOS半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明主要涉及一种沟槽超级结MOS半导体装置，并将超结结构通过栅极和PN结引入到半导体装置中，本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器和功率MOSFET基础结构，本发明还涉及一种沟槽超级结MOS半导体装置的制造工艺。 |
| 申请公布号 |
CN103367433A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
| 申请号 |
CN201210106239.8 |
申请日期 |
2012.04.02 |
| 申请人 |
朱江 |
发明人 |
朱江 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种沟槽超级结MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；多个沟槽，位于漂移层和体区中，沟槽内壁表面有绝缘层，同时，沟槽内上部填充有第一传导类型的半导体材料，沟槽内下部填充有第二传导类型的半导体材料；多个源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和体区。 |
| 地址 |
113200 辽宁省新宾满族自治县新宾镇衍水街6号残疾人联合会 |
