| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光器件包括：第一导电型半导体层、第一电极、绝缘层和电极层。第一电极具有在第一导电型半导体层上的至少一个分支。绝缘层设置在第一电极上。电极层设置在绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103367593A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310232665.0 | 申请日期 | 2009.12.24 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 林祐湜;秋圣镐 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：第一导电型半导体层；设置在所述第一导电型半导体层上的有源层；设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极部；设置在所述有源层和所述第一电极部之间且包括第一开口的绝缘层，所述第一电极部穿过所述绝缘层的所述第一开口；设置在所述第二导电型半导体层上且包括第二开口的电极层；和穿过所述第二电极层的所述第二开口以接触所述第二导电型半导体层的第二电极垫。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||