半导体器件和薄膜晶体管

摘要

一种多半导体氧化物TFT(sos-TFT)在电荷-载流子迁移率和/或阈值电压变化性方面提供了改进的电功能性。sos-TFT可以用来形成用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。示例sos-TFT包括：绝缘的栅极；第一半导体氧化物层，具有含有第一半导体氧化物的组分；第二半导体氧化物层，具有也包含半导体氧化物的不同组分。第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层具有各自的沟道区，所述沟道区受到施加到栅极的控制电压的电容性影响。在一个实施例中，第二半导体氧化物层包含第一半导体氧化物层中不含有的至少一种添加元素，其中，添加元素是镓(Ga)、硅(Si)、铌(Nb)、铪(Hf)和锗(Ge)中的一种。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括：栅极；栅极绝缘层；第一半导体氧化物层，包含含有第一半导体氧化物的第一组分；第二半导体氧化物层，包含第二组分，第二组分与第一组分不同并且包含第一半导体氧化物或不同的第二半导体氧化物，第二组分含有不包含在第一组分中的至少一种添加组分，其中，第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层在它们的共叠置区域彼此叠置，栅极至少与所述共叠置区域绝缘地叠置，栅极绝缘层位于栅极与第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层的共叠置区域之间；源极，连接到第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层中的至少一个；和漏极，连接到第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层中的至少一个，漏极与源极分隔开，其中，第二组分的至少一种添加组分包含镓、硅、铌、铪和锗中的至少一种，第一半导体氧化物是铟‑锌‑锡氧化物，第二半导体氧化物是锌‑锡氧化物。