半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，其在第一基体上依次形成硅锗层和罩层，并在罩层中形成基体CMOS晶体管，其后第一基体通过金属前介质层与第二基体粘合固定，再依次刻蚀去除第一基体和硅锗层，以暴露所述罩层，最后，在所述罩层上形成器件背面结构。由于硅锗层与罩层具有较佳的刻蚀选择比，从而能够在刻蚀去除硅锗层的过程中保护罩层，进而保护基体CMOS晶体管不被刻蚀损伤，提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供第一基体和第二基体；在所述第一基体上依次形成硅锗层和罩层；在所述罩层中形成基体CMOS晶体管，并在所述罩层的第一面上形成金属前介质层；将所述第一基体通过所述金属前介质层与所述第二基体粘合；翻转所述第一基体依次刻蚀去除所述第一基体和硅锗层，以暴露所述罩层；在所述罩层上形成器件背面结构。