亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。

主权项

一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器，其特征在于，所述光探测器包括：由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，所述亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。