一种具有电子阻挡层结构的发光二极管

摘要

本发明公开了一种具有电子阻挡层结构的发光二极管，本发明利用四元氮化物InxAlyGa1-x-yN的禁带宽度和晶格常数可以独立调节的特性，通过调节p-InxAlyGa1-x-yN中的In和Al组分来达到与二元氮化物或三元氮化物、InGaN/GaN多量子阱中的GaN以及p型GaN外延层中的GaN之间的晶格匹配，获得较高的能带间隙值以及能带偏移率，有效降低电子漏过率，又提高空穴的注入效率，从而可极大地提高LED器件的发光效率和ESD良率。

主权项

一种具有电子阻挡层结构的发光二极管，其特征在于：包括从下至上依次设置的衬底（101）、缓冲层（102）、n型GaN外延层（103）、InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）、p型超晶格结构的电子阻挡层（106）、p型GaN外延层（107）和透明导电层（108），所述透明导电层（108）的顶面上设置有p型电极（110），所述n型GaN外延层（103）刻蚀出阶梯台面，所述阶梯台面的延伸与InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）的底面连接，所述阶梯台面上设置有n型电极（104），所述透明导电层（108）的顶面上还覆盖有钝化层（109），所述钝化层（109）通过一个侧边延伸至n型GaN外延层（103）的阶梯上；所述p型超晶格结构是由四元氮化物层与氮化物层交替叠加构成若干超晶格结构周期，所述四元氮化物层的材料为四元氮化物p‑InxAlyGazN，所述氮化物层的材料为AlN，GaN，InN中的任意一种二元氮化物或者AlGaN，InAlN，InGaN中的任意一种三元氮化物，其中0