高密度电容器结构及其制作方法

摘要

本发明提出一种高密度电容器结构及其制作方法，在半导体衬底上形成多个由第一金属层-第一介质层-第二金属层-第二介质层组成的堆膜，接着分别刻蚀堆膜的侧壁，暴露出一部分第一金属层和第二金属层的表面，在所述堆膜的侧壁以及表面形成第三介质层，接着在堆膜的侧壁形成金属连接线，金属连接线与暴露出的第一金属层和第二金属层的表面电连接；由此第一金属层、第二金属层作为电容器的两个极板，第一介质层和第二介质层隔离第一金属层和第二金属层，金属连接线分别连接第一金属层和第二金属层，从而使多个堆膜形成并联的电容器，进而能够在不增加极板面积的同时，提高单位面积电容器的密度，增加电容器的电容量。

主权项

一种高密度电容器的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个堆膜，所述堆膜自下而上包括第一金属层、第一介质层、第二金属层和第二介质层；刻蚀所述堆膜的侧壁，暴露出所述半导体衬底；各向同性刻蚀所述堆膜的其中一侧壁，刻蚀去除一部分第一介质层，暴露出一部分第一金属层以及第二金属层的表面；各向同性刻蚀所述堆膜的另一侧壁，刻蚀去除一部分第二介质层，暴露出一部分第二金属层以及第一金属层的表面；在所述堆膜的侧壁及表面形成第三介质层，所述第三介质层暴露出部分所述第一金属层和第二金属层的表面；在所述堆膜侧壁、半导体衬底表面上形成金属连接线，其中，所述金属连接线形成在第三介质层的表面并与暴露出的第一金属层和第二金属层的表面电连接。