制备受应力半导体晶圆及制备包含该晶圆的设备的方法

摘要

本发明提供制备受应力半导体晶圆及制备包含该晶圆的设备的方法。用于制备受应力半导体晶圆的示例性方法包含提供由具有第一晶格常数的第一材料所构成的半导体晶圆。由具有与该第一材料不同的晶格常数的第二材料所构成的受应力结晶层是假晶性地形成于半导体晶圆的表面上。第一穿孔是经蚀刻穿通该受应力结晶层并至少部分是穿入该半导体晶圆以释放该受应力结晶层邻近该第一穿孔处的应力，藉以转移应力给该半导体晶圆并在半导体晶圆中形成受应力区。半导体晶圆中的第一穿孔是以第一填充材料予以填充以阻止半导体晶圆中的应力消散。

主权项

一种制备受应力半导体晶圆的方法，该方法包含：提供由具有第一晶格常数的第一材料所构成的半导体晶圆；在该半导体晶圆的表面上假晶性地形成由具有晶格常数与该第一材料不同的第二材料所构成的受应力结晶层；蚀刻第一穿孔穿通该受应力结晶层并至少部分穿入该半导体晶圆内，以释放该受应力结晶层毗邻该第一穿孔的应力，藉以将应力转移至该半导体晶圆并在该半导体晶圆中形成受应力区；以及在该半导体晶圆中以第一填充材料填充该第一穿孔，以防止该半导体晶圆中的应力消散。