| 发明名称 | 光栅分布反馈量子级联激光器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。与传统均匀光栅的制作工艺相比，本发明等效相移光栅制作工艺要简单的多，从而极大降低了光栅分布反馈量子级联激光器的制备难度。 | ||
| 申请公布号 | CN103368071A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310308727.1 | 申请日期 | 2013.07.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张锦川;刘峰奇;卓宁;王利军;刘俊岐;王占国 |
| 分类号 | H01S5/125(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/125(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
| 主权项 | 一种光栅分布反馈量子级联激光器，其特征在于，包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层； 其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||