发明名称 |
用于单晶硅生长过程控制的智能PID控制方法及其系统 |
摘要 |
鉴于常规PID控制器难以对单晶硅的生长过程进行有效的控制,特提供一种适用于各种直拉式单晶硅生长设备的智能PID控制方法及其控制系统。该方法中,首先对单晶硅晶体的生长过程进行监控,采集单晶硅的直径与预定直径的偏差;根据单晶硅直径与预定直径的偏差,基于模糊控制理论进行分类,根据分类后的直径偏差计算对拉速进行控制所需的积分分量和微分控制分量,对拉速进行控制;根据拉速与预定拉速的偏差,基于模糊控制理论进行分类,根据分类后的拉速偏差计算对温度进行控制所需的积分分量和微分控制分量,对温度进行控制。 |
申请公布号 |
CN101748477B |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN200810239837.6 |
申请日期 |
2008.12.19 |
申请人 |
北京太克易航科贸有限公司 |
发明人 |
焦建耀 |
分类号 |
C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
陈曦 |
主权项 |
一种用于单晶硅生长过程控制的智能PID控制方法,其特征在于包括如下步骤:对单晶硅晶体的生长过程进行监控,采集单晶硅的直径与预定直径的偏差;根据单晶硅直径与预定直径的偏差,基于模糊控制理论进行分类,根据分类后的直径偏差计算对拉速进行控制所需的积分分量和微分控制分量,对所述拉速进行控制;根据拉速与预定拉速的偏差,基于模糊控制理论进行分类,根据分类后的拉速偏差计算对温度进行控制所需的积分分量和微分控制分量,对所述温度进行控制。 |
地址 |
100100 北京市通州区聚富苑民族产业发展基地聚和六街1-1-106 |