| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件，包含：位于沟槽中的场板（13）；相邻沟槽之间第一导电型的源区（8）；相邻沟槽之间源区（8）下方的第二导电型的体区（7）；电介质层（17）上的互连层（11），其中互连层（11）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13），其中所述源区和/或体区比体区下面相邻沟槽之间的台面漂移区宽。 | ||
| 申请公布号 | CN203250741U | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201320118515.2 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | O.布兰克;R.西米尼克 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包含： 位于沟槽中的场板（13）；相邻沟槽之间第一导电型的源区（8）；相邻沟槽之间源区（8）下方的第二导电型的体区（7）；电介质层（17）上的互连层（11），其中互连层（11）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13），其中所述源区和/或体区比体区下面相邻沟槽之间的台面漂移区宽。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||