| 发明名称 | 多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺，按照以下步骤进行：（1）多晶硅铸锭工艺中长晶结束后进行第一次退火；（2）将多晶硅铸锭冷却至室温；（3）将多晶硅铸锭进行开方，得到方锭；（4）将方锭放入热处理炉中进行第二次退火，然后将方锭冷却至室温；（5）方锭进行打磨即可。本发明的优点在于：（1）开方阶段已去除杂质含量高的边角料，因此在后期退火时可减轻反向扩散，提高出成率；（2）硅块尺寸相对较小，因此在退火阶段内部温度分布均匀，可提高退火效果；（3）减少了生产周期，提高了生产效率，生产成本降低5%。 | ||
| 申请公布号 | CN103361737A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310315273.0 | 申请日期 | 2013.07.25 |
| 申请人 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 发明人 | 谭毅;李鹏廷;王峰;熊华江;安广野;姜大川 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺，其特征在于按照以下步骤进行：（1）多晶硅铸锭工艺中长晶结束后进行第一次退火，经30～40min降温到1270～1350℃，然后保温30～40min；（2）将多晶硅铸锭冷却至室温；（3）将多晶硅铸锭进行开方，得到方锭；（4）将方锭放入热处理炉中进行第二次退火，退火温度为1250～1370℃，保温2～3h，然后将方锭冷却至室温；（5）方锭进行打磨即可。 | ||
| 地址 | 266234 山东省青岛市即墨市普东镇太阳能产业基地 | ||