| 发明名称 | 传导发射保护 | ||
| 摘要 | 根据一个非限制性实施例，一种低传导发射基板包括多个薄的高介电强度绝缘层，所述多个薄的高介电强度绝缘层被相应多个导电层分开，其中所述多个导电层之一被短接到所述多个导电层中的另一个。 | ||
| 申请公布号 | CN102160174B | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN200980136660.X | 申请日期 | 2009.08.13 |
| 申请人 | 联合工艺公司 | 发明人 | T.A.赫特尔;E.H.塞恩德克;H.萨尔迪瓦 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种低传导发射基板，包括：多个绝缘层，所述多个绝缘层被相应多个导电层分开，所述绝缘层具有在0.05－5.00微米之间的厚度，并且具有大于每密耳500伏的介电强度，其中所述多个导电层之一被短接到所述多个导电层中的另一个，使得所述多个导电层之一与所述多个导电层中的另一个被电耦合以在其间通过相应的绝缘层形成有效寄生电容。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||