半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。一个实施方式的目的之一是对包括氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源电极及漏电极以及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；对去除了氢原子的氧化物半导体膜进行氧掺杂处理来对氧化物半导体膜供给氧原子；在被供给有氧原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成金属氧化物膜；在所述金属氧化物膜之上形成包含沟道形成区的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包含氧和金属元素，所述金属元素包括铟；以及对所述金属氧化物膜执行氧掺杂处理以降低与铟和氧之间的键合有关的氧缺陷的量，其中所述金属氧化物膜包含氧和与所述氧化物半导体膜的所述金属元素相同的金属元素。