| 发明名称 | 利用通道的无空穴晶圆结合 | ||
| 摘要 | 使第一微电子元件与第二微电子元件结合的方法包括，使其内包含有源电路元件(108)的第一基板(100)与第二基板(112)挤压在一起，可流动介电材料(102)设置在各基板的相面对表面之间，第一基板(100)和第二基板(112)中每个都具有小于每摄氏度百万分之十的热膨胀系数，相面对表面中至少一个具有从此表面的边缘延伸的复数个通道(118A-118F)，使得相面对表面所限定的平面之间的介电材料(102)基本上无空穴且具有超过1微米的厚度，且至少一些介电材料(102)流入至少一些通道内。 | ||
| 申请公布号 | CN103370783A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201180067645.1 | 申请日期 | 2011.12.14 |
| 申请人 | 德塞拉股份有限公司 | 发明人 | 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;皮尤什·萨瓦利亚;克雷格·米切尔 |
| 分类号 | H01L21/98(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/98(2006.01)I |
| 代理机构 | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人 | 段淑华;刘曾剑 |
| 主权项 | 第一微电子元件与第二微电子元件的结合方法，包括：使其内包含有源电路元件的第一基板与第二基板挤压在一起，可流动介电材料设置在各基板的相面对表面之间，所述第一基板和所述第二基板中每个都具有小于每摄氏度百万分之十的热膨胀系数，所述相面对表面中至少一个具有从该表面的边缘延伸的复数个通道，使得所述相面对表面所限定的平面之间的所述介电材料具有超过1微米的厚度，且至少一些介电材料流入至少一些通道内。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号 | ||