| 发明名称 | 具有穿硅通孔与测试电路的半导体结构与其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构，具有一穿硅通孔以及测试修补电路。其中，穿硅通孔设置于基底中并贯穿基底的有源面以及背面。测试修补电路设置于基底的背面上，与穿硅通孔电性连接，借以提供测试修补功能。根据本发明的另外一个实施方式，本发明另外提供了一种形成半导体结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103367281A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210092744.1 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，具有有源面以及背面；穿硅通孔设置于基底中，并贯穿所述基底的所述有源面以及所述背面；以及测试修补电路设置于所述基底的所述背面上，并与所述穿硅通孔电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||