一种非真空法制备CIGS薄膜的方法

摘要

一种非真空法制备CIGS薄膜的方法，包括以下步骤：（1）配粉：将高纯硒化亚铜（Cu2Se）、硒化铟（In2Se3）、硒化镓（Ga2Se3）三种粉末称量、混合，配置成所需化学计量比的混合粉末；（2）球磨：将混合粉末在高能球磨机中长时间球磨，使粉末平均粒径≤2μm；（3）配置浆料：将球磨后的粉末与醇类混合制成浆料；（4）涂覆：将浆料涂覆在衬底表面上；（5）烘烤：将涂覆后的衬底进行烘烤去除溶剂，形成CIGS前驱膜；（6）退火：在含硒气氛保护下进行退火处理，制成CIGS薄膜。本发明不采用昂贵的真空设备，投资少，工艺简单，原材料利用率高，适于大面积成膜，生产成本低。

主权项

一种非真空法制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）配粉：将高纯硒化亚铜（Cu2Se）、硒化铟（In2Se3）、硒化镓（Ga2Se3）三种粉末称量、混合，配置成所需化学计量比的混合粉末；（2）球磨：将混合粉末在高能球磨机中球磨，使粉末平均粒径≤2μm；（3）配置浆料：将球磨后的粉末与去离子水或醇类混合制成浆料；（4）涂覆：将浆料涂覆在衬底表面上。（5）烘烤：将涂覆后的衬底进行烘烤去除溶剂，形成CIGS前驱膜；（6）退火：在含硒气氛保护下进行退火处理，制成CIGS薄膜。