| 发明名称 | 化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。根据实施例的化合物半导体器件包括：衬底；电子渡越层和电子供给层，形成在衬底上面；栅电极、源电极和漏电极，形成在电子供给层上面；以及第一铁掺杂层，设置在衬底和电子渡越层之间的在平面图中对应于栅电极的位置的区域，第一铁掺杂层掺杂有铁以降低栅电极下方生成的二维电子气。 | ||
| 申请公布号 | CN103367427A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310102456.4 | 申请日期 | 2013.03.27 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 镰田阳一 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 康建峰;陈炜 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；电子渡越层和电子供给层，形成在衬底上面；栅电极、源电极和漏电极，形成在电子供给层上面；以及第一铁掺杂层，设置在衬底和电子渡越层之间的在平面图中对应于栅电极的位置的区域，第一铁掺杂层掺杂有铁以降低栅电极下方生成的二维电子气。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||