半导体装置制造用粘结片及半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置制造用粘结片、半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置制造用粘结片包括基材以及设在所述基材的一面上的热固化型的粘结剂层，并且以可剥离状粘贴在半导体装置的引线框架（20）或配线基板的半导体装置制造用粘结片（10），所述粘结剂层在特定的剥离试验A中测量的加热前粘合强度a在0.07N/20mm以上，在特定的剥离试验B中测量的加热后粘合强度b在0.58N/20mm以上，在特定的剥离试验C中测量的加热后粘合强度c在1.17N/20mm以上。

主权项

一种半导体装置制造用粘结片，其包括基材以及设在所述基材的一面上的热固化型的粘结剂层，并且能够剥离地粘贴在半导体装置的引线框架或配线基板上，所述半导体装置制造用粘结片的特征在于，所述粘结剂层通过下述剥离试验A测得的加热前粘合强度a在0.07N/20mm以上，通过下述剥离试验B测得的加热后粘合强度b在0.58N/20mm以上，通过下述剥离试验C测得的加热后粘合强度c在1.17N/20mm以上，剥离试验A：把表面设有金镀层的铜板作为被粘贴板；把宽度为20mm的半导体装置制造用粘结片在25℃下以0.37N/mm的压力粘贴在所述被粘贴板上作为加热前试样；以及对所述加热前试样的半导体装置制造用粘结片在25℃的测量温度下以90°的剥离角度以及50mm/min的剥离速度进行剥离，并求出最大应力，将其作为加热前粘合强度a，剥离试验B：对在所述剥离试验A中准备的加热前试样在175℃下进行1小时的加热处理作为加热后试样；以及对所述加热后试样的半导体装置制造用粘结片在175℃的测量温度下以90°的剥离角度以及10mm/min的剥离速度进行剥离，并求出最大应力，将其作为加热后粘合强度b，剥离试验C：对在所述剥离试验B中准备的加热后试样的半导体装置制造用粘结片在175℃的测量温度下以90°的剥离角度以及500mm/min的剥离速度进行剥离，并求出最大应力，将其作为加热后粘合强度c。