半导体装置

摘要

本发明提供单芯片化后的IGBT以及二极管的特性良好的半导体装置。其中，IGBT单元和二极管单元形成于一个第一导电型的半导体基板。该半导体装置具备：形成在半导体基板的下面侧表层部的IGBT单元区域中的第二导电型的第一半导体层；形成在半导体基板的下面侧表层部的与IGBT单元区域相邻接的区域中的第一导电型的第二半导体层；在半导体基板的上面侧表层部隔开规定间隔而形成的栅电极；形成在栅电极之间的第一导电型的第三半导体层以及第二导电型的第四半导体层；在IGBT单元区域中形成在第一半导体层上方的第一导电型的第五半导体层；形成在第三半导体层以及第四半导体层上的第一电极；以及设置在半导体基板的下面侧的第二电极。

主权项

一种半导体装置，其中，IGBT单元和二极管单元形成于一个第一导电型的半导体基板，其特征在于，具备：第二导电型的第一半导体层，形成在上述半导体基板的下面侧表层部的IGBT单元区域中；第一导电型的第二半导体层，形成在上述半导体基板的下面侧表层部的与上述IGBT单元区域相邻接的区域中；在上述半导体基板的上面侧表层部隔开规定间隔而形成的栅电极；第一导电型的第三半导体层，形成在上述栅电极之间；第二导电型的第四半导体层，形成在上述栅电极之间；第一导电型的第五半导体层，在上述IGBT单元区域中形成在上述第一半导体层的上方；第一电极，形成在上述第三半导体层以及上述第四半导体层上；以及第二电极，设置在上述半导体基板的下面侧，上述第五半导体层仅设置在上述IGBT单元区域中，上述第二半导体层的宽度小于等于200μm，并形成为格子状，或者配置为点状。