发明名称 |
一种晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法,该包括如下步骤:在硅片上形成发射极;在所述发射极上形成钝化层;在所述钝化层上形成掺硼氧化锌薄膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极;对所述硅片进行烧结。相应的,本发明还提供一种使用该方法制备的晶体硅太阳能电池。本发明提供的制备方法成本低、工艺简单,适合大规模生产;且得到的太阳能电池质量好,光电转换效率高。 |
申请公布号 |
CN103367542A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201310278262.X |
申请日期 |
2013.07.02 |
申请人 |
浙江正泰太阳能科技有限公司 |
发明人 |
牛新伟;刘石勇;韩玮智;叶巨洋;金建波;陆川;仇展炜 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
冯谱 |
主权项 |
一种晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a)在硅片上形成发射极;b)在所述发射极上形成钝化层;c)在所述钝化层上形成掺硼氧化锌薄膜;d)在所述硅片背面形成背电极和铝背场;e)在所述硅片正面形成正电极;f)对所述硅片进行烧结。 |
地址 |
310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 |