半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，在所述基底上形成无定形碳材料层，所述第一区域和第二区域的无定形碳材料层中分别形成有至少两个相邻的金属互连结构，且第一区域的相邻金属互连结构之间的间距小于第二区域相邻金属互连结构之间的间距；去除基底上的无定形碳材料层，在第一区域的相邻金属互连结构之间形成第一沟槽；形成覆盖所述基底和金属互连结构表面的超低K介质层，所述超低K介质层横跨所述第一沟槽，在第一区域的相邻的金属互连线之间形成空气隙。本发明实施例半导体结构的形成方法工艺步骤简单。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，在所述基底上形成无定形碳材料层，所述第一区域和第二区域的无定形碳材料层中分别形成有至少两个相邻的金属互连结构，且第一区域的相邻金属互连结构之间的间距小于第二区域相邻金属互连结构之间的间距；去除基底上的无定形碳材料层，在第一区域的相邻金属互连结构之间形成第一沟槽；形成覆盖所述基底和金属互连结构表面的超低K介质层，所述超低K介质层横跨所述第一沟槽，在第一区域的相邻的金属互连线之间形成空气隙。