具有氮化物层的半导体元件

摘要

根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。

主权项

一种半导体元件，具备：半导体基板；氮化物的第一半导体层，直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上；氮化物的第二半导体层，设置在上述第一半导体层上，具有比上述第一半导体层大的带隙；氮化物的第三半导体层，从上述第二半导体层离开地设置；氮化物的第四半导体层，设置在上述第三半导体层上，具有比上述第三半导体层大的带隙；氮化物的第五半导体层，设置在上述第二半导体层及上述第三半导体层之间，将上述第二半导体层及上述第三半导体层进行绝缘；第一电极，形成在从上述第四半导体层达到上述第五半导体层的第一开口部中，与上述第二至上述第四半导体层形成欧姆接合；第二电极，设置在上述第四半导体层上，与上述第四半导体层形成欧姆接合；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜的至少一部分形成在设置于上述第四半导体层的第二开口部内、且形成在上述第三半导体层上；栅电极，在上述第一电极和上述第二电极之间设置在上述栅极绝缘膜上；以及第三电极，与上述第二半导体层形成肖特基结，该第三电极和上述栅电极以夹着上述第二电极的方式形成，并且该第三电极设置在从上述第三半导体层达到上述第五半导体层的第三开口部中。