| 发明名称 | 栅极下方具有选择性掺杂剂去活化的MOSFET | ||
| 摘要 | 在衬底上制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法包括通过第一类型掺杂剂掺杂MOSFET器件的沟道区。通过第二类型掺杂剂在衬底中形成源极和漏极。在位于MOSFET器件的栅极下方的区域中实施选择性掺杂剂去活化。本发明还提供了栅极下方具有选择性掺杂剂去活化的MOSFET。 | ||
| 申请公布号 | CN103367163A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210337912.9 | 申请日期 | 2012.09.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 马哈维;杨凯杰;吴伟豪;后藤贤一;吴志强;孙元成 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种在衬底上制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，包括：利用第一类型的掺杂剂掺杂所述MOSFET器件的沟道区；利用第二类型的掺杂剂在所述衬底中形成源极和漏极；以及在位于所述MOSFET器件的栅极下方的区域中实施选择性掺杂剂去活化。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||