| 发明名称 | 酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法，用于浅沟槽隔离工艺，所述补水装置包括相互连接的化学槽、补水管、以及安装于补水管进水口且与控制系统相连的控制阀，补水管铺设于化学槽底部，在补水管上开设多个小孔，控制阀对补水管进行定时定量控制。其中化学槽底部包括支架，补水管卧在支架中。化学槽底部为四方形或圆形；补水管在化学槽底部呈回形、或环形铺满并均匀分布。本发明可定时定量、均匀地从化学槽底部补水，避免了人工补水装置的不确定性和危险，满足了H3PO4腐蚀去除氮化硅工艺的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN103367229A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210100414.2 | 申请日期 | 2012.04.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;赵超;崔虎山;卢一泓 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置，用于浅沟槽隔离工艺，所述补水装置包括相互连接的化学槽、补水管、以及安装于补水管进水口且与控制系统相连的控制阀，其特征是：所述补水管铺设于所述化学槽底部，在所述补水管上开设多个小孔，所述控制阀对所述补水管进行定时定量控制。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||