一种半导体发光器件的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体发光器件的制作方法，包括以下步骤：S1、形成外延片；S2、在所述外延片的p型氮化物层表面涂覆光刻胶后进行光刻处理，以便在相邻芯片之间的间隔区形成光刻胶保护区；S3、在所述p型氮化物层表面和光刻胶保护区表面沉积金属反射层；S4、在所述金属反射层上沉积预定的p电极；S5、将保护区的光刻胶及附着在其上的金属反射层和p电极去除，直至露出p型氮化物层表面；S6、采用研磨抛光的工艺将外延片中的衬底及缓冲层移除，直至露出n型氮化物层表面；S7、在所述n型氮化物层表面沉积预定的n电极；S8、从所述去除的保护区间隔处对准后直接崩裂，分离得到若干单个垂直结构LED芯片。本发明提供的制作方法工艺简单且生产成本低。

主权项

一种半导体发光器件的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：S1、形成外延片：所述外延片包括在衬底上顺序生长出缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层；S2、形成保护区：在所述外延片的p型氮化物层表面涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行光刻处理，以便在相邻芯片之间的间隔区形成光刻胶保护区；S3、形成反射层：在所述p型氮化物层表面和光刻胶保护区表面沉积金属反射层；S4、形成p电极：在所述金属反射层上沉积预定的p电极；S5、去除保护区：将保护区的光刻胶及附着在其上的金属反射层和p电极去除，直至露出被光刻胶覆盖的p型氮化物层表面；S6、去除衬底及缓冲层：采用研磨抛光的工艺将外延片中的衬底及缓冲层移除，直至露出n型氮化物层表面；S7、形成n电极：在所述n型氮化物层表面沉积预定的n电极；S8、形成单个芯片：从所述去除的保护区间隔处对准，依次进行直接崩裂，分离得到若干单个垂直结构LED芯片。