发明名称 蚀刻装置、分析装置、蚀刻处理方法、以及蚀刻处理程序
摘要 本发明提供一种无需设定物质、化学反应的信息,而可以从大量的波长下的波形,选定代表性的少数的波长,可以削减花费大量的工时的蚀刻数据的解析,而高效地进行蚀刻的监视/测定的设定的蚀刻装置。在蚀刻装置中,具备:按批量晶片阶段的OES数据检索/取得功能(511),取得多个沿着蚀刻处理时间轴的发光强度波形;波形变化有无判定功能(521),判定在多个发光强度波形中有无变化;波形相关矩阵计算功能(522),计算发光强度波形间的相关矩阵;波形分类功能(523),将发光强度波形分类为组;代表波形选定功能(524),从组选定代表性的发光强度波形。
申请公布号 CN102282654B 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN200980154428.9 申请日期 2009.11.20
申请人 株式会社日立高新技术 发明人 森泽利浩;白石大辅;井上智己
分类号 H01L21/3065(2006.01)I;G01N21/66(2006.01)I;G01N21/71(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/3065(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 许海兰
主权项 一种蚀刻装置,具备:腔,用于进行等离子体蚀刻处理;电极,用于生成等离子体;气体供给/排气系统;分光器,用于对所述等离子体的发光进行监视;以及计算机系统,对由所述分光器监视的信号进行处理,并将其处理结果显示于终端,所述蚀刻装置的特征在于所述计算机系统具备:发光强度波形取得单元,取得过去实施的1次以上的蚀刻处理中的等离子体发光数据中的、多个沿着蚀刻处理时间轴的发光强度波形;波形变化有无判定单元,判定在由所述发光强度波形取得单元取得的多个所述发光强度波形中有无变化;波形相关矩阵计算单元,计算由所述波形变化有无判定单元判定为有变化的所述发光强度波形间的相关矩阵;波形分类单元,将由所述波形相关矩阵计算单元计算出的相关矩阵的各列、或者各行作为与所述发光强度波形对应的矢量,基于所述矢量的值,评价所述发光强度波形间的类似性,将所述发光强度波形分类为组;以及代表波形选定单元,从由所述波形分类单元分类了的所述组中选定代表性的发光强度波形,将所选定的所述代表性的发光强度波形确定为对蚀刻性能或者晶片上的蚀刻处理结果有影响的发光强度波形,将得到了该发光强度波形的波长决定为应监视的发光波长,并将其显示于所述终端。
地址 日本东京都