发明名称 磁控溅射设备
摘要 本实用新型涉及一种磁控溅射设备,包括:靶材;扫描机构;所述扫描机构包括:环形轨道;多个溅射磁条,所述多个溅射磁条移动地设置在所述环形轨道上,且能够绕所述环形轨道循环,用于对所述靶材表面进行均匀的磁场扫描。本实用新型的有益效果是:采用环形轨道代替现有的直线型轨道,使得溅射磁条的扫描为回旋式扫描,且溅射磁条不必在环形轨道的两端停留,一方面很大程度上降低了镀膜工艺时间,提高设备产能;且提高了靶材利用率,PM(preventive maintenance,靶材定期更换)频率得到了有效的降低。
申请公布号 CN203247303U 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN201320230076.4 申请日期 2013.04.28
申请人 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 发明人 何茂盛
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;黄灿
主权项 一种磁控溅射设备,其特征在于,包括:靶材;扫描机构;所述扫描机构包括:环形轨道;多个溅射磁条,所述多个溅射磁条设置在所述环形轨道上,且能够绕所述环形轨道循环移动,用于对所述靶材表面进行均匀的磁场扫描。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号