一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管及其制造方法，通过在包括N-GaN层、量子阱层及的P-GaN层的发光外延结构上制作一层具有按预设图形排列的孔洞，并且与所述P-GaN层形成非欧姆接触的图形导电薄膜，然后在所述图形导电薄膜上制作透明导电层，使所述透明导电层通过所述孔洞与所述P-GaN层形成欧姆接触，然后制备电极等后续工艺以完成所述发光二极管的制造。由于所述图形导电薄膜与所述P-GaN层形成非欧姆接触，只作为电流的扩展层，使电流密度在LED芯片内均匀流过，可以提高LED的发光效率，并有效抑制LED的衰退现象。本发明制造工艺步骤简单，效果显著，适用于工业生产。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括步骤：1)提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成至少包括N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层的发光外延结构；2)在所述P‑GaN层上制作具有按预设图形排列的孔洞的图形导电薄膜，且使所述图形导电薄膜与所述P‑GaN层形成非欧姆接触；3)在所述图形导电薄膜及孔洞上制作透明导电层，并使所述透明导电层通过所述孔洞与所述P‑GaN层形成欧姆接触；4)制作P电极及N电极以完成所述发光二极管的制造。