| 发明名称 | ReRAM器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ReRAM器件结构。电阻式随机存取存储器（ReRAM）包括第一金属层。所述第一金属层有第一金属以及在所述第一金属层上的金属氧化物层。所述金属氧化物层包括所述第一金属。所述ReRAM还包括在金属氧化物层上的第二金属层以及物理接触金属氧化物层的第一金属层的侧壁的第一连续导电阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN103367636A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310121335.4 | 申请日期 | 2013.04.09 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 洪庄敏;库-米恩·昌;周峰 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李佳;穆德骏 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器ReRAM，包括：第一金属层，所述第一金属层包括第一金属；位于所述第一金属层上的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包括所述第一金属；位于所述金属氧化物层上方的第二金属层；以及第一连续导电阻挡层，所述第一连续导电阻挡层物理接触所述第一金属层的侧壁以及所述金属氧化物层的侧壁。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||