| 发明名称 | 制造金属栅极半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法包括提供衬底，在该衬底上设置有栅极介电层，诸如高k电介质。在栅极介电层上形成三层元件。三层元件包括第一保护层、第二保护层以及介于第一保护层和第二保护层之间的金属栅极层。利用三层元件形成nFET栅极结构和pFET栅极结构中的一种，例如，第二保护层和金属栅极层可以形成用于nFET器件和pFET器件中的一种的功函数层。第一保护层可以是用于图案化金属栅极层的牺牲层。本发明提供了制造金属栅极半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103367132A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210281316.3 | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 钟升镇;朱鸣;林俊铭;杨宝如;庄学理 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供衬底，在所述衬底上设置有栅极介电层；在所述栅极介电层上形成三层元件，其中，所述三层元件包括第一保护层、第二保护层以及介于所述第一保护层和所述第二保护层之间的金属栅极层；以及利用所述三层元件形成nFET栅极结构和pFET栅极结构中的至少一种。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||