| 发明名称 | 用于增强III-V半导体膜中的p-型掺杂的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了掺杂半导体膜的方法。所述方法包括在促进掺杂有p-型掺杂剂的III-V半导体膜的形成的条件下，在掺杂剂、能够用作电子库的表面活性剂和氢存在的情况下，生长III-V半导体膜外延。在所述方法的一些实施方式中，掺杂的III-V半导体膜的外延生长在第一氢分压下开始，所述第一氢分压在外延生长过程的过程中被升高至第二氢分压。 | ||
| 申请公布号 | CN103370782A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201180052336.7 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 犹他大学研究基金会 | 发明人 | 冯·柳;杰拉尔德·斯特林费洛;俊逸·朱 |
| 分类号 | H01L21/8252(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8252(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;王莹 |
| 主权项 | 一种掺杂III‑V半导体膜的方法，所述方法包括：将p‑型掺杂剂提供至外延生长过程；将能够用作电子库的表面活性剂提供至外延生长过程；将氢提供至外延生长过程；和在促进p‑型掺杂的III‑V半导体膜的形成的条件下生长III‑V半导体膜。 | ||
| 地址 | 美国犹他州 | ||